An objective of this invention is to provide a process for selecting
rationally and quickly a wet process treatment in which an etchant can be
shared based on a minimum preliminary investigation while eliminating
cross contamination derived from a newly employed material, in a
cleaning-apparatus line configuration in a process for manufacturing a
silicon semiconductor device. In advance, an element which is suspected to
cause cross contamination is added to an etchant used in a wet processing,
a silicon substrate is immersed in the etchant, and then a correlation
between a concentration of the element adhesively remaining still on the
surface of the silicon substrate after the etchant is washed out with
water and a concentration of the dissolved element in the etchant. On the
basis of the result, the upper concentration limit of the element
remaining by cross contamination is estimated when sharing the etchant.
Then, with reference to the upper limit, whether deterioration of device
properties occurs is evaluated to determine acceptability of etchant
sharing.
Een doelstelling van deze uitvinding is een proces te verstrekken om rationeel en snel te selecteren een natte procesbehandeling waarin etchant kan worden gedeeld gebaseerd op een minimum inleidend onderzoek terwijl het elimineren van dwarsverontreiniging die uit een onlangs aangewend materiaal, in een configuratie van de schoon:maken-apparatenlijn in een proces om een apparaat van de siliciumhalfgeleider te vervaardigen wordt afgeleid. Vooraf, wordt een element dat wordt verdacht om dwarsverontreiniging te veroorzaken toegevoegd aan etchant gebruikt in een natte verwerking, wordt een siliciumsubstraat ondergedompeld in etchant, en toen een correlatie tussen een concentratie van het element dat adhesively nog op de oppervlakte van het siliciumsubstraat blijft nadat etchant met water en een concentratie van het opgeloste element in etchant wordt uitgewassen. Op basis van het resultaat, is de hogere concentratiegrens van het element dat door dwarsverontreiniging blijft het geschatte bij delen etchant. Dan, met betrekking tot de hogere grens, of de verslechtering van apparateneigenschappen voorkomt wordt geëvalueerd om aanvaardbaarheid te bepalen van het etchant delen.
