A semiconductor device has a semiconductor substrate having a main surface
including a first region and a second region, and an interlayer dielectric
film formed over the first region and the second region. A bonding pad, a
power source line, a test pattern or the like is formed in the first
region, and a logic circuit, an analog circuit, a memory circuit or the
like is formed in the second region. The interlayer dielectric film has a
maximum thickness over the first region, and a thickness that is about
90-50% of the maximum thickness over the second region. The interlayer
dielectric film defines a first through hole formed over the first region
and a second through hole formed over the second region. An aperture area
of the first through hole is greater than that of the second through hole.
As a result, the range of the focus margin for forming the first through
hole covers the range of the focus margin for forming the second through
hole. Consequently, the focus margin for forming the second through hole
is adopted as a focus margin for forming the first through hole and the
second through hole.
Ein Halbleiterelement hat ein Halbleitersubstrat, eine Hauptoberfläche einschließlich eine erste Region und eine zweite Region zu haben und einen gebildeten Überschuß der Zwischenlage dielektrischer Film die erste Region und die zweite Region. Eine Abbindenauflage, eine Energiequellelinie, ein Testmuster oder dergleichen wird in der ersten Region gebildet, und eine Koinzidenzschaltung, ein analoger Stromkreis, ein Speicher oder dergleichen wird in der zweiten Region gebildet. Der dielektrische Film der Zwischenlage hat einen maximalen Stärke Überschuß die erste Region und eine Stärke, die ungefähr 90-50% des maximalen Stärke Überschusses die zweite Region ist. Der dielektrische Film der Zwischenlage definiert ein erster durch Bohrung gebildeten Überschuß die erste Region und eine Sekunde durch Bohrung bildete Überschuß die zweite Region. Ein Blendenöffnung Bereich vom ersten durch Bohrung ist grösser als der der Sekunde durch Bohrung. Infolgedessen umfaßt die Strecke des Fokusseitenrandes für die Formung das erste durch Bohrung die Strecke des Fokusseitenrandes für die Formung der Sekunde durch Bohrung. Infolgedessen wird der Fokusseitenrand für die Formung der Sekunde durch Bohrung als Fokusseitenrand für die Formung das erste durch Bohrung und die Sekunde durch Bohrung angenommen.
