A semiconductor memory device has a plurality of memory block areas, a
first power source line and a second power source line for supplying the
same potential as the first power source line. At least one of the memory
block areas is connected to the first power source line, and at least one
of the other memory block areas is connected to the second power source
line. For example, when the semiconductor memory device includes four
memory block areas, one of two memory block areas simultaneously selected
is connected to the first power source line, and the other is connected to
the second power source line. Further, one of the other two memory block
areas simultaneously selected is connected to the first power source line
and the other is connected to the second power source line.
Een apparaat van het halfgeleidergeheugen heeft een meerderheid van de gebieden van het geheugenblok, een eerste krachtbronlijn en een tweede krachtbronlijn voor het leveren van het zelfde potentieel zoals de eerste krachtbronlijn. Minstens één van de gebieden van het geheugenblok wordt verbonden met de eerste krachtbronlijn, en minstens één van de andere gebieden van het geheugenblok wordt verbonden met de tweede krachtbronlijn. Bijvoorbeeld, wanneer het apparaat van het halfgeleidergeheugen vier gebieden van het geheugenblok omvat, wordt één van twee gelijktijdig geselecteerde gebieden van het geheugenblok verbonden met de eerste krachtbronlijn, en andere wordt verbonden met de tweede krachtbronlijn. Verder, wordt één van de andere twee gelijktijdig geselecteerde gebieden van het geheugenblok verbonden met de eerste krachtbronlijn en andere wordt verbonden met de tweede krachtbronlijn.
