A cladded conductive interconnect for programming a magnetoresistive memory
device which includes a conductive material with a length, a first barrier
conductive material positioned on the conductive material, and a
multi-layer cladding region positioned along the length of the conductive
material wherein the multi-layer cladding region includes N ferromagnetic
layers, where N is a whole number greater than or equal to two, and
wherein the multi-layer cladding region further includes at least one
spacer layer, wherein the spacer layer can include a metal, an insulator,
or an exchange interaction material, and wherein the spacer layer is
sandwiched therebetween each adjacent ferromagnetic layer.
A cladded la interconexión conductora para programar un dispositivo de memoria magnetoresistente que incluye un material conductor con una longitud, un material conductor de la primera barrera colocado en el material conductor, y una región de múltiples capas del revestimiento colocada a lo largo de la longitud del material conductor en donde la región de múltiples capas del revestimiento incluye capas ferromagnéticas de N, donde está un número entero mayor que o igual N a dos, y en donde la región de múltiples capas del revestimiento más futura incluye por lo menos una capa del espaciador, en donde la capa del espaciador puede incluir un metal, un aislador, o un material de la interacción del intercambio, y en donde se intercala la capa del espaciador therebetween cada capa ferromagnética adyacente.
