In a nitride type compound semiconductor light emitting element, a phosphor
layer is formed in a multilayer constituting the light emitting element. A
highly-reflective layer is formed at a side plane of the light emitting
element. The nitride type compound semiconductor light emitting element
can emit white light or multi-colored light, and is superior in mass
production and reliability. The wavelength of the emitted light can be
converted into a different wavelength by the light emitting element alone.
Em um tipo elemento emitindo-se claro do nitride do semicondutor composto, uma camada do fósforo é dada forma em um multilayer constituindo o elemento emitindo-se claro. Uma camada elevado-reflexiva é dada forma em um plano lateral do elemento emitindo-se claro. O tipo elemento emitindo-se claro do nitride do semicondutor composto pode emitir-se a luz branca ou a luz multi-colored, e é superior na produção maciça e na confiabilidade. O wavelength da luz emissora pode ser convertido em um wavelength diferente pelo elemento emitindo-se claro sozinho.
