Embodiments of the invention relate to an apparatus and method of
depositing a titanium silicon nitride layer by cyclical deposition. In one
aspect, a titanium silicon nitride layer having a variable content or a
controlled composition of titanium, silicon, and nitrogen through the
depth of the layer may be formed. One embodiment of this variable content
titanium silicon nitride layer or tuned titanium silicon nitride layer
includes a bottom sub-layer of TiSi.sub.X1 N.sub.Y1, a middle sub-layer of
TiSi.sub.X2 N.sub.Y2, and a top sub-layer of TiSi.sub.X3 N.sub.Y3 in which
X1 is less than X2 and X3 is less than X2. Another embodiment of a
variable content titanium silicon nitride layer includes a bottom
sub-layer of TiSi.sub.X1 N.sub.Y1 and a top sub-layer of TiSi.sub.X2
N.sub.Y2 in which X2 is greater than X1. Still another embodiment of a
variable content titanium silicon nitride layer includes a bottom
sub-layer of TiSi.sub.X1 N.sub.Y1, a middle sub-layer of TiSi.sub.X2
N.sub.Y2, and a top sub-layer of TiSi.sub.X3 N.sub.Y3 in which X1 is
greater than X2 and X3 is greater than X2.
Οι ενσωματώσεις της εφεύρεσης αφορούν συσκευές και μια μέθοδο ένα στρώμα νιτριδίων πυριτίου τιτανίου από την κυκλική απόθεση. Σε μια πτυχή, ένα στρώμα νιτριδίων πυριτίου τιτανίου που έχει ένα μεταβλητό περιεχόμενο ή μια ελεγχόμενη σύνθεση του τιτανίου, του πυριτίου, και του αζώτου μέσω του βάθους του στρώματος μπορεί να διαμορφωθεί. Μια ενσωμάτωση αυτού του μεταβλητού ικανοποιημένου στρώματος νιτριδίων πυριτίου τιτανίου ή του συντονισμένου στρώματος νιτριδίων πυριτίου τιτανίου περιλαμβάνει ένα κατώτατο υπόστρωμα TiSi.sub.X1 N.sub.Y1, ένα μέσο υπόστρωμα TiSi.sub.X2 N.sub.Y2, και ένα κορυφαίο υπόστρωμα TiSi.sub.X3 N.sub.Y3 στα οποία X1 είναι λιγότερο από X2 και X3 είναι λιγότερο από X2. Μια άλλη ενσωμάτωση ενός μεταβλητού ικανοποιημένου στρώματος νιτριδίων πυριτίου τιτανίου περιλαμβάνει ένα κατώτατο υπόστρωμα TiSi.sub.X1 N.sub.Y1 και ένα κορυφαίο υπόστρωμα TiSi.sub.X2 N.sub.Y2 στα οποία X2 είναι μεγαλύτερο από X1. Ακόμα μια άλλη ενσωμάτωση ενός μεταβλητού ικανοποιημένου στρώματος νιτριδίων πυριτίου τιτανίου περιλαμβάνει ένα κατώτατο υπόστρωμα TiSi.sub.X1 N.sub.Y1, ένα μέσο υπόστρωμα TiSi.sub.X2 N.sub.Y2, και ένα κορυφαίο υπόστρωμα TiSi.sub.X3 N.sub.Y3 στα οποία X1 είναι μεγαλύτερο από X2 και X3 είναι μεγαλύτερο από X2.
