A light emitting diode with strained layer superlatices (SLS) crystal
structure is formed on a substrate. A nucleation layer and a buffer layer
are sequentially formed on the substrate, so as to ease the crystal growth
for the subsequent crystal growing process. An active layer is covered
between an upper and a lower cladding layers. The active later include
III-N group compound semiconductive material. A SLS contact layer is
located on the upper cladding layer. A transparent electrode is located on
the contact later to serve as an anode. Another electrode layer has
contact with the buffer layer, and is separated from the lower and upper
cladding layers.
Светлый испуская диод с напрячьнной кристаллической структурой superlatices слоя (SLS) сформирован на субстрате. Слой нуклеации и слой буфера последовательн сформированы на субстрате, для того чтобы облегчить рост кристалла для затем процесса crystal расти. Активно слой покрын между верхними и слоями более низкими плакированием. Активно последние вклюают материал смеси группы III-N semiconductive. Слой контакта SLS расположен на верхнем слое плакирования. Прозрачный электрод устроен на контакте более поздно для служения как анод. Другой слой электрода имеет контакт с слоем буфера, и отделен от более низких и верхних слоев плакирования.
