Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel

   
   

For writing K-bit write data in parallel (K is integer at least 2), bit lines each arranged for each memory cell columns and at least K current return lines are provided. K selected bit lines to write the K-bit write data are connected in series in a single current path. When data having different levels are written through adjacent selected bit lines, the selected bit lines are connected to each other at their one ends or the other ends, so that a bit line write current flowing through the former selected bit line is directly transmitted to the latter selected bit line. On the other hand, when data having the same level are written through adjacent selected bit lines, a bit line write current flowing through the former selected bit line is turned back by the corresponding current return line, and then transmitted to the latter selected bit line.

Para o K-bocado da escrita escreva dados na paralela (K é o inteiro ao menos 2), o bocado alinha cada um arranjado para colunas de cada pilha de memória e ao menos as linhas do retorno atuais de K são fornecidas. As linhas selecionadas K do bocado para escrever o K-bocado escrevem dados são conectadas em série em um único trajeto atual. Quando os dados que têm níveis diferentes são escritos através das linhas selecionadas adjacentes do bocado, as linhas selecionadas do bocado seestão- conectadas na sua terminam ou as outras extremidades, de modo que uma linha do bocado escreva a corrente que corre através da linha selecionada anterior do bocado são transmitidas diretamente à última linha selecionada do bocado. Na outra mão, quando os dados que têm o mesmo nível são escritos através das linhas selecionadas adjacentes do bocado, uma linha do bocado escreve a corrente que corre através da linha selecionada anterior do bocado é girada para trás pela linha do retorno atual correspondente, e transmitida então à última linha selecionada do bocado.

 
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< MRAM having current peak suppressing circuit

< Memory device and method for storing bits in non-adjacent storage locations in a memory array

> Method and apparatus for performing modular multiplication

> Method and system for providing redundancy for signaling link modules in a telecommunication system

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