One method includes epitaxially growing a layer of group III-nitride
semiconductor under growth conditions that cause a growth surface to be
rough. The method also includes performing an epitaxial growth of a second
layer of group III-nitride semiconductor on the first layer under growth
conditions that cause the growth surface to become smooth. The two-step
growth produces a lower density of threading defects.
Another method includes epitaxially growing a layer of group III-nitride
semiconductor on a lattice-mismatched crystalline substrate and then,
chemically treating a growth surface of the layer to selectively
electrically passivate defects that thread the layer.
Une méthode inclut accroître épitaxial une couche de semi-conducteur d'III-NITRURE de groupe dans les conditions de croissance qui rendent une surface de croissance rugueuse. La méthode inclut également effectuer une croissance épitaxiale d'une deuxième couche de semi-conducteur d'III-NITRURE de groupe sur la première couche dans les conditions de croissance qui font devenir la surface de croissance lisse. La croissance en deux étapes produit un plus faible densité de fileter des défauts. Une autre méthode inclut accroître épitaxial une couche de semi-conducteur d'III-NITRURE de groupe sur un substrat cristallin trellis-mal adapté et puis, traitant chimiquement une surface de croissance de la couche pour passiver sélectivement électriquement les défauts qui filètent la couche.
