A new multilayer dielectric film for improving dielectric constant and
thermal stability of gate dielectrics is provided. The multilayer
dielectric film comprises a first layer formed of a metal oxide material
having a high dielectric constant, and a second layer formed on the first
layer. The second layer is formed of a metal silicate material having a
dielectric constant lower than the dielectric constant of the first layer.
A semiconductor transistor incorporating the multilayer dielectric film is
also provided.
Una nuova pellicola dielettrica a più strati per migliorare il costante dielettrico e la stabilità termica dei dielettrici del cancello è fornita. La pellicola dielettrica a più strati contiene un primo strato formato di un materiale dell'ossido di metallo che ha un alto costante dielettrico e un secondo strato formato sul primo strato. Il secondo strato è formato di un materiale del silicato del metallo che ha un costante dielettrico basso del costante dielettrico del primo strato. Un transistore a semiconduttore che incorpora la pellicola dielettrica a più strati inoltre è fornito.
