A device and automated method of calculating bulk states information and
interface states information of a thin film transistor from a
current-voltage measurement and a capacitance-voltage measurement
comprising the steps of: calculating the flat band voltage from the input
capacitance-voltage measurement; applying a general expression of Gauss's
Law and the calculated flat band voltage to a capacitance voltage
relationship which define capacitance so as to calculate a relationship
between gate surface potential and gate/source voltage; applying Gauss's
Law to the calculated relationship between gate surface potential and
gate/source voltage to thereby calculate and ouput the interface states;
calculating conductance/gate voltage data from the current-voltage
measurement using the calculated flat band voltage; conducting an
initialisation process using the calculated conductance/gate voltage data
and the calculated relationship between gate surface potential and
gate/source voltage, said initialisation process using a conductance
equation so as to calculate initialised values for the electron
conductance at the flat band voltage, for the hole conductance at the flat
band voltage, for a density of states function and for the Fermi Energy;
conducting an iteration process based on Poisson's equation using the said
initialised values calculated by the initialisation process and the
calculated conductance/gate voltage data to thereby calculate and output
the bulk states information.
Eine Vorrichtung und eine automatisierte Methode der Berechnung der Massenzustände Informationen und Schnittstelle gibt Informationen eines Dünnfilmtransistors von einem I/V-Maß und von einem Kapazitanz-Spannung Maß an, welche die Schritte von enthalten: Berechnung der flachen Bandspannung vom Eingang Kapazitanz-Spannung Maß; einen allgemeinen Ausdruck des Gesetzes des Gausss und die errechnete flache Bandspannung an einem Kapazitanzspannung Verhältnis anwenden, die Kapazitanz definieren, um ein Verhältnis zwischen Gatteroberfläche Potential und gate/source Spannung zu errechnen; Gesetz des Gausss am errechneten Verhältnis zwischen Gatteroberfläche Potential und gate/source Spannung anwenden, dadurch zu errechnen und ouput die Schnittstelle Zustände; Berechnung von von conductance/gate Spannung Daten vom I/V-Maß mit der errechneten flachen Bandspannung; einen Initialisierung Prozeß mit den errechneten conductance/gate Spannung Daten und das errechnete Verhältnis zwischen Gatteroberfläche Potential leiten und gate/source Spannung, besagter Initialisierung Prozeß mit einer Leitfähigkeitgleichung, um initialisierte Werte für die Elektronleitfähigkeit an der flachen Bandspannung, für die Bohrung Leitfähigkeit an der flachen Bandspannung zu errechnen, für eine Dichte der Zustandfunktion und für die Fermi Energie; das Leiten eines Wiederholungprozesses, der auf der Gleichung Poissons verwendet die besagten initialisierten Werte basierte, errechnete durch den Initialisierung Prozeß und die errechneten conductance/gate Spannung Daten, zum des Hauptteiles dadurch zu errechnen und auszugeben geben Informationen an.
