A light-emitting element includes a transparent substrate, a III-V nitride
semiconductor layer including rare earth metal elements which is formed on
said transparent substrate, and an irradiation source of electron beam
which is disposed within 5 mm from the surface of said III-V nitride
semiconductor layer so as to be opposite to said III-V nitride
semiconductor layer. Then, the rare earth metal elements in the III-V
nitride semiconductor layer are excited by electron beams from the
irradiation source and a given fluorescence inherent to the rare earth
metal elements are emitted.
Un élément luminescent inclut un substrat transparent, une couche de semi-conducteur de nitrure d'III-V comprenant des éléments en métal de terre rare qui est formée sur ledit substrat transparent, et une source d'irradiation de faisceau d'électrons qui est disposé à moins de 5 millimètres de la surface de ladite couche de semi-conducteur de nitrure d'III-V afin d'être vis-à-vis ladite couche de semi-conducteur de nitrure d'III-V. Puis, les éléments en métal de terre rare dans la couche de semi-conducteur de nitrure d'III-V sont excités par des faisceaux d'électrons de la source d'irradiation et une fluorescence donnée inhérente aux éléments en métal de terre rare sont émises.
