A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) includes a semiconductor
device having a pair of mirror portions, an active region, a tunnel
junction, a pair of cladding layers and a substrate. Heat generated by the
VCSEL dissipates through the cladding layers, which utilize an indium
phosphide material. The VCSEL also includes selective etches that are used
to aperture the active region to allow electric current to be injected
into the active region.
Un laser d'emissione di superficie della cavità verticale (VCSEL) include un dispositivo a semiconduttore che ha un accoppiamento delle parti dello specchio, di una regione attiva, di una giunzione del traforo, di un accoppiamento degli strati del rivestimento e di un substrato. Il calore generato dal VCSEL si dissipa con gli strati del rivestimento, che utilizzano un materiale del fosfuro di indio. Il VCSEL inoltre include incissione all'acquaforte selettive che sono usate all'apertura la regione attiva per permettere che la corrente elettrica sia iniettata nella regione attiva.
