A method of operating a lithographic projection apparatus including forming
a spot of radiation at the wafer level using a pinhole at reticle level. A
sensor is defocused with respect to the spot such that it is spaced apart
from the wafer level. The sensor is scanned beneath the spot to measure
the angular intensity distribution of radiation at the spot and to
determine the intensity distribution at the pupil plane of the projection
lens system.
Eine Methode des Laufen lassens eines lithographischen Projektion Apparates einschließlich die Formung eines Punktes der Strahlung auf dem Oblateniveau mit einem Splintloch am Reticleniveau. Ein Sensor ist in Bezug auf den Punkt so defocused, daß er abgesehen von dem Oblateniveau gesperrt wird. Der Sensor wird unter dem Punkt, um die eckige Intensität Verteilung der Strahlung am Punkt zu messen abgelichtet und die Intensität Verteilung an der Pupillefläche des Projektion Objektivsystems festzustellen.
