Trench schottky rectifier

   
   

A Schottky rectifier is provided. The Schottky rectifier comprises: (a) a semiconductor region having first and second opposing faces, with the semiconductor region comprising a cathode region of first conductivity type adjacent the first face and a drift region of the first conductivity type adjacent the second face, and with the drift region having a lower net doping concentration than that of the cathode region; (b) one or more trenches extending from the second face into the semiconductor region and defining one or more mesas within the semiconductor region; (c) an insulating region adjacent the semiconductor region in lower portions of the trench; (d) and an anode electrode that is (i) adjacent to and forms a Schottky rectifying contact with the semiconductor at the second face, (ii) adjacent to and forms a Schottky rectifying contact with the semiconductor region within upper portions of the trench and (iii) adjacent to the insulating region within the lower portions of the trench.

Een gelijkrichter Schottky wordt verstrekt. De gelijkrichter Schottky bestaat uit: (a) een halfgeleidergebied eerst en tweede verzettende gezichten die, met het halfgeleidergebied bestaand uit een kathodegebied van eerste geleidingsvermogentype adjacent het eerste gezicht en uit een afwijkingsgebied van het eerste geleidingsvermogentype adjacent het tweede gezicht, en met het afwijkingsgebied die een lagere netto het smeren concentratie hebben dan dat van het kathodegebied hebben; (b) één of meerdere geulen die zich van het tweede gezicht in het halfgeleidergebied uitbreiden en één of meerdere mesas bepalen binnen het halfgeleidergebied; (c) een isolerend gebied adjacent het halfgeleidergebied in lagere gedeelten van de geul; (d) en een anodeelektrode die (i) naast zijn en een Schottky rectificerend contact met de halfgeleider bij het tweede gezicht, (ii) vormen naast en vormen het rectificeren Schottky met het halfgeleidergebied binnen hogere gedeelten van de geul en (iii) naast het isolerende gebied binnen de lagere gedeelten van de geul contacteert.

 
Web www.patentalert.com

< Liquid ejection method and liquid ejection head therefor

< Thermally controlled solar reflector facet with heat recovery

> Optical switch control method and apparatus thereof

> Method and apparatus for an ultra-wideband radio utilizing MEMS filtering

~ 00106