An image sensor is disclosed including passivation walls extending above
the pixel contact pads into a photosensor layer (e.g., amorphous silicon)
such that the pixel contact pads are isolated to reduce cross-talk. The
passivation walls are formed from SiO.sub.2 or SiON to further reduce
cross-talk. An embodiment includes metal structures provided under
interface regions (e.g., under the passivation walls) separating adjacent
pixels that are negatively biased to prevent cross-talk, and optionally
extend under the contact pad to increase pixel capacitance. One embodiment
omits p-type dopant from the lower amorphous silicon photodiode layer, and
additional photodiode material layers are disclosed. Another disclosed
sensor structure utilizes a textured surface to increase light absorption.
A color filter structure for image sensors is also disclosed.
Датчик изображения показан включая стены запассивированности расширяя над пусковыми площадками контакта пиксела в слой photosensor (например, аморфический кремний) такие что пусковые площадки контакта пиксела изолированы для уменьшения помехи. Стены запассивированности сформированы от SiO.sub.2 или SiON более далее для того чтобы уменьшить помеху. Воплощение вклюает структуры металла обеспеченные под зонами поверхности стыка (например, под стенами запассивированности) отделяя смежные пикселы которые отрицательно склонены для того чтобы предотвратить помеху, и опционно удлиняет под пусковую площадку контакта к емкости пиксела увеличения. Одно воплощение снимает dopant п-tipa от более низкого аморфического слоя фотодиода кремния, и слои дополнительного фотодиода материальные показаны. Другая показанная структура датчика использует текстурированную поверхность для того чтобы увеличить светлую абсорбциу. Структура фильтра цвета для датчиков изображения также показана.
