A semiconductor device having conductive plug for connecting capacitor and
conductive pattern, comprises first and second impurity diffusion regions
formed in a semiconductor substrate, a first insulating film formed over
the semiconductor substrate, a first hole formed in the first insulating
film on the first impurity diffusion region, a first conductive plug
formed in the first hole and made of a metal film, a second hole formed in
the first insulating film on the second impurity diffusion region, a
second conductive plug formed in the second hole and made of conductive
material that is hard to be oxidized rather than the metal film, and a
capacitor that consists of a lower electrode connected to an upper surface
of the second conductive plug, a dielectric film, and an upper electrode.
Μια συσκευή ημιαγωγών που έχει το αγώγιμο βούλωμα για τη σύνδεση του πυκνωτή και του αγώγιμου σχεδίου, περιλαμβάνει πρώτα και δεύτερες περιοχές διάχυσης ακαθαρσιών που διαμορφώνονται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, μια πρώτη μονώνοντας ταινία που διαμορφώνεται πέρα από το υπόστρωμα ημιαγωγών, μια πρώτη τρύπα που διαμορφώνεται στην πρώτη μονώνοντας ταινία στην πρώτη περιοχή διάχυσης ακαθαρσιών, ένα πρώτο αγώγιμο βούλωμα που διαμορφώνεται στην πρώτη τρύπα και φιαγμένο από ταινία μετάλλων, μια δεύτερη τρύπα που διαμορφώνονται στην πρώτη μονώνοντας ταινία στη δεύτερη περιοχή διάχυσης ακαθαρσιών, ένα δεύτερο αγώγιμο βούλωμα που διαμορφώνονται στη δεύτερη τρύπα και φιαγμένο από αγώγιμο υλικό που είναι δύσκολο να οξειδωθεί παρά την ταινία μετάλλων, και έναν πυκνωτή που αποτελείται από ένα χαμηλότερο ηλεκτρόδιο που συνδέεται με αγώγιμο βούλωμα, μια διηλεκτρική ταινία, και ένα ανώτερο ηλεκτρόδιο.
