An electron field emission device is provided by placing a substrate in a
reactor, heating the substrate and supplying a mixture of hydrogen and a
carbon-containing gas at a concentration of about 8 to 13 percent to the
reactor while supplying energy to the mixture of gases near the substrate
for a time to grow a first layer of carbon-based material to a thickness
greater than about 0.5 micrometers, subsequently reducing the
concentration of the carbon-containing gas and continuing to grow a second
layer of carbon-based material, the second layer being much thicker than
the first layer. The substrate is subsequently removed from the first
layer and an electrode is applied to the second layer. The surface of the
substrate may be patterned before growth of the first layer to produce a
patterned surface on the field emission device. The device is
free-standing and can be used as a cold cathode in a variety of electronic
devices such as cathode ray tubes, amplifiers and traveling wave tubes.
Приспособление излучения поля электрона обеспечено путем устанавливать субстрат в реакторе, нагревать субстрат и поставлять смесь водопода и углерод-soderja газа на концентрации около от 8 до 13 процентов к реактору пока поставляющ энергию к смеси газов почти субстрат на время вырасти первый слой углерод-osnovannogo материала к микрометрам толщины greater than около 0.5, затем уменьшая концентрацию углерод-soderja газа и продолжая вырасти второй слой углерод-osnovannogo материала, второй слой гораздо толщине чем первый слой. Субстрат затем извлекается от первого слоя и электрод приложен к второму слою. Поверхность субстрата может быть сделана по образцу перед ростом первого слоя для того чтобы произвести сделанную по образцу поверхность на приспособлении излучения поля. Приспособление free-standing и может быть использовано как холодный катод в разнообразии электронных приспособлений such as электронно-лучевые трубки, усилители и пробки бегущей волны.
