An improved structure and method are provided to decouple the gate
dielectric thickness and the emitter tip to gate layer distance by etching
the dielectric using ion bombardment. The ion bombardment, or ion etch, is
performed prior to depositing the gate layer. The improved structure and
method will allow a smaller distance between the emitter tip and the gate
structure without having to decrease the thickness of the gate insulator
layer. The smaller emitter tip to gate distance lowers the turn-on voltage
which is highly desirable in such areas as beam optics and power
dissipation.
Uma estrutura e um método melhorados são fornecidos para decouple a espessura dieléctrica da porta e a ponta do emissor para bloquear a distância da camada gravando o bombardeio usando-se dieléctrico do íon. O bombardeio do íon, ou gravura em àgua forte do íon, são executados antes de depositar a camada da porta. A estrutura e o método melhorados reservarão uma distância menor entre a ponta do emissor e a estrutura da porta sem ter que diminuir a espessura da camada do isolador da porta. A ponta menor do emissor para bloquear a distância abaixa a tensão de ligação que é altamente desejável em áreas como a dissipação do sistema ótico e do poder do feixe.
