Integrated optoelectronic circuit and method of fabricating the same

   
   

The invention comprises a novel combination of microwave and photonic packaging to arrive a compact, self contained MZI modulator. The nature of the NLO polymer, that is, its large electro-optic coefficient reduces the drive requirements for the integrated power amplifier, allowing a small to medium power amplifier to be used. Microwave high density interconnect (HDI) packaging techniques allow the medium power amplifier to be fabricated into a small assembly, which can be mounted directly to the MZI substrate. The integrated amplifier and modulator provides a significant reduced size and lower power, and high bandwidth advantage when compared with existing devices based on inorganic materials.

A invenção compreende uma combinação da novela da microonda e de empacotar photonic a chegar um estojo compacto, modulador contido self de MZI. A natureza do polímero de NLO, isto é, seu coeficiente electro-optic grande reduz as exigências da movimentação para o amplificador de poder integrado, permitindo que um pequeno ao amplificador de poder médio seja usado. As técnicas empacotando elevadas do interconnect da densidade da microonda (HDI) permitem que o amplificador de poder médio seja fabricado em um conjunto pequeno, que possa ser montado diretamente à carcaça de MZI. O amplificador e o modulador integrados fornecem um tamanho reduzido significativo e um poder mais baixo, e uma vantagem elevada da largura de faixa quando comparados com os dispositivos existentes baseados em materiais inorgánicos.

 
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