In a method for manufacturing a semiconductor device in which wiring layers
are formed by a damascene method, certain embodiments relate to a
manufacturing method and a semiconductor device, in which a bonding pad
section having a multiple-layered structure can be formed by a simple
method without increasing the number of process steps. One embodiment
includes a method for manufacturing a semiconductor device in which at
least an uppermost wiring layer is formed by a damascene method. The
method includes the following steps of: (a) forming an uppermost
dielectric layer 22 in which an uppermost wiring layer is formed; (b)
forming a wiring groove for the wiring layer having a specified pattern
and an opening section for bonding pad section in the uppermost dielectric
layer 22; (c) forming a first conduction layer for the wiring layer; (d)
forming a second conduction layer over the first conduction layer, the
second conduction layer composed of a different material from a material
of the first conduction layer; and (e) planarizing the second conduction
layer, the first conduction layer and the dielectric layer, to thereby
form a wiring layer 62 composed of the first conduction layer in the
wiring groove and a base conduction layer 82 composed of the first
conduction layer and an exposed conduction layer 84 composed of the second
conduction layer in the opening section for bonding pad section.
Σε μια μέθοδο για μια συσκευή ημιαγωγών στην οποία τα στρώματα καλωδίωσης διαμορφώνονται με μια μέθοδο damascene, ορισμένες ενσωματώσεις αφορούν μια μέθοδο κατασκευής και μια συσκευή ημιαγωγών, στις οποίες ένα συνδέοντας τμήμα μαξιλαριών που έχει μια πολλαπλάσιος-βαλμένη σε στρώσεις δομή μπορεί να διαμορφωθεί με μια απλή μέθοδο χωρίς αύξηση του αριθμού βημάτων διαδικασίας. Μια ενσωμάτωση περιλαμβάνει μια μέθοδο για μια συσκευή ημιαγωγών στην οποία τουλάχιστον ένα ανώτατο στρώμα καλωδίωσης διαμορφώνεται με μια μέθοδο damascene. Η μέθοδος περιλαμβάνει τα ακόλουθα βήματα: (α) διαμορφώνοντας ένα ανώτατο διηλεκτρικό στρώμα 22 στο οποίο ένα ανώτατο στρώμα καλωδίωσης διαμορφώνεται (β) διαμορφώνοντας ένα αυλάκι καλωδίωσης για το στρώμα καλωδίωσης που έχει ένα διευκρινισμένο σχέδιο και ένα ανοίγοντας τμήμα της σύνδεσης του τμήματος μαξιλαριών στο ανώτατο διηλεκτρικό στρώμα 22 (γ) διαμόρφωση ενός πρώτου στρώματος διεξαγωγής για το στρώμα καλωδίωσης (δ) διαμορφώνοντας ένα δεύτερο στρώμα διεξαγωγής πέρα από το πρώτο στρώμα διεξαγωγής, το δεύτερο στρώμα διεξαγωγής που αποτελείται από ένα διαφορετικό υλικό από ένα υλικό του πρώτου στρώματος διεξαγωγής και (ε) planarizing το δεύτερο στρώμα διεξαγωγής, το πρώτο στρώμα διεξαγωγής και το διηλεκτρικό στρώμα, για με αυτόν τον τρόπο να διαμορφώσει ένα στρώμα 62 καλωδίωσης που αποτελείται από το πρώτο στρώμα διεξαγωγής στο αυλάκι καλωδίωσης και ένα στρώμα 82 διεξαγωγής βάσεων που αποτελούνται από το πρώτο στρώμα διεξαγωγής και ένα εκτεθειμένο στρώμα 84 διεξαγωγής που αποτελείται από το δεύτερο στρώμα διεξαγωγής στο ανοίγοντας τμήμα της σύνδεσης του τμήματος μαξιλαριών.
