The microreactor is completely integrated and is formed by a semiconductor
body having a surface and housing at least one buried channel accessible
from the surface of the semiconductor body through two trenches. A heating
element extends above the surface over the channel and a resist region
extends above the heating element and defines an inlet reservoir and an
outlet reservoir. The reservoirs are connected to the trenches and have,
in cross-section, a larger area than the trenches. The outlet reservoir
has a larger area than the inlet reservoir. A sensing electrode extends
above the surface and inside the outlet reservoir.
O microreactor completamente é integrado e dado forma por um corpo do semicondutor que tem uma superfície e que abriga ao menos uma canaleta enterrada acessível da superfície do corpo do semicondutor através de duas trincheiras. Um elemento de heating estende acima da superfície sobre a canaleta e uma região resistir estende acima do elemento de heating e define um reservatório da entrada e um reservatório da tomada. Os reservatórios são conectados às trincheiras e têm, no cross-section, uma área maior do que as trincheiras. O reservatório da tomada tem uma área maior do que o reservatório da entrada. Um elétrodo detetando estende acima da superfície e do interior o reservatório da tomada.
