Memory apparatus and methods are provided for storing data in a
semiconductor device, comprising volatile and non-volatile portions, where
the non-volatile portion comprises two ferroelectric capacitors coupled
with one of two internal nodes in the volatile memory portion. Apparatus
is also disclosed wherein first and second ferroelectric capacitors are
coupled with the first internal node of the volatile portion, and third
and fourth ferroelectric capacitors are coupled with the second internal
node of the volatile portion.
Οι συσκευές και οι μέθοδοι μνήμης παρέχονται για την αποθήκευση των στοιχείων σε μια συσκευή ημιαγωγών, συμπερίληψη των πτητικών και αμετάβλητων μερίδων, όπου η αμετάβλητη μερίδα περιλαμβάνει δύο σιδηροηλεκτρικούς πυκνωτές που συνδέονται με τον έναν από δύο εσωτερικούς κόμβους στην πτητική μερίδα μνήμης. Η συσκευή αποκαλύπτεται επίσης όπου πρώτα και οι δεύτεροι σιδηροηλεκτρικοί πυκνωτές συνδέονται με τον πρώτο εσωτερικό κόμβο της πτητικής μερίδας, και οι τρίτοι και τέταρτοι σιδηροηλεκτρικοί πυκνωτές συνδέονται με το δεύτερο εσωτερικό κόμβο της πτητικής μερίδας.
