Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide

   
   

A method of cleaning and removing water and entrained solutes during a manufacturing process from a microelectronic device such as a resist-coated semiconductor substrate, a MEM's device, or an optoelectronic device comprising the steps of: (a) providing a partially fabricated integrated circuit, MEM's device, or optoelectronic device having water and entrained solutes on the substrate; (b) providing a densified (e.g., liquid or supercritical) carbon dioxide drying composition, the drying composition comprising carbon dioxide and a drying adjunct, the drying adjunct selected from the group consisting of cosolvents, surfactants, and combinations thereof; (c) immersing the surface portion in the densified carbon dioxide drying composition; and then (d) removing the drying composition from the surface portion. Process parameters are controlled so that the drying composition is maintained as a homogeneous composition during the immersing step, the removing step, or both the immersing and removing step, without substantial deposition of the drying/cleaning adjunct or entrained solutes on the substrate.

Um método da limpeza e da água e de solutes entrained remover durante um processo de manufacturing de um dispositivo microelectronic tal como uma carcaça resist-coated do semicondutor, o dispositivo de um MEM, ou um dispositivo optoelectronic que compreende as etapas de: (a) fornecendo um circuito integrado parcialmente fabricado, o dispositivo de MEM, ou o dispositivo optoelectronic que tem a água e solutes entrained na carcaça; (b) fornecendo a densified (por exemplo, líquido ou supercritical) composição de secagem do dióxido de carbono, a composição de secagem que compreendem o dióxido de carbono e um adjunct de secagem, o adjunct de secagem selecionado dos cosolvents consistindo do grupo, surfactants, e combinações disso; (c) immersing a parcela de superfície no densified composição de secagem do dióxido de carbono; e então (d) removendo a composição de secagem da parcela de superfície. Os parâmetros process são controlados de modo que a composição de secagem seja mantida enquanto uma composição homogênea durante a etapa immersing, a etapa removendo, ou a etapa immersing e removendo, sem deposition substancial do adjunct de drying/cleaning ou solutes entrained na carcaça.

 
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