Thin films possessing low dielectric constants (e.g., dielectric constants
below 3.0) are formed on integrated circuits or other substrates.
Caged-siloxane precursors are linked in such a way as to form dielectric
layers, which exhibit low dielectric constants by virtue of their silicon
dioxide-like molecular structure and porous nature. Supercritical fluids
may be used as the reaction medium and developer both to the dissolve and
deliver the caged-siloxane precursors and to remove reagents and
byproducts from the reaction chamber and resultant porous film created.
Le pellicole sottili che possiedono i costanti dielettrici bassi (per esempio, costanti dielettrici inferiore a 3.0) sono formate sui circuiti integrati o su altri substrati. i precursori del Mett in gabbia-silossano sono collegati in modo da formare gli strati dielettrici, che esibiscono i costanti dielettrici bassi in virtù del loro silicone diossido-come la struttura molecolare e la natura porosa. I liquidi ipercritici possono essere usati come il mezzo e lo sviluppatore di reazione sia alla dissoluzione che trasportare i precursori del mett in gabbia-silossano e rimuovere i reagenti ed i sottoprodotti dall'alloggiamento di reazione e dalla pellicola porosa risultante generati.
