The present provides a method for forming a porous metal silicate
dielectric layer having a dielectric constant of less than 2.0. The porous
metal silicate dielectric formed by embodiments of the present invention
is suitable for integration into the microelectric device manufacturing
process. By carefully controlling the amount and type of surfactant used,
the pore size and structure of the dielectric layer can be predetermined.
Das Geschenk stellt eine Methode für die Formung einer dielektrischen Schicht der porösen Metallkieselsäureverbindung zur Verfügung, die eine Dielektrizitätskonstante von weniger als 2.0 hat. Der poröse Metallkieselsäureverbindungnichtleiter, der durch Verkörperungen der anwesenden Erfindung gebildet wird, ist für Integration in das mikroelektrische Vorrichtung Herstellungsverfahren verwendbar. Indem man sorgfältig die Menge und die Art des Tensids benutzt steuert, können die Poregröße und die Struktur der dielektrischen Schicht vorbestimmt werden.
