Method for producing semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device produced by such method

   
   

A method for producing a semiconductor light emitting device, including at least one first column-like multi-layer structure provided on a substrate and containing nitride-based semiconductor compound semiconductor layers represented by the general formula In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z N (where x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, 0.ltoreq.z.ltoreq.1), includes a first step of forming a plurality of grooves in the substrate; and a second step of forming a plurality of first column-like multi-layer structures on the substrate so as to be separated by the grooves.

Μια μέθοδος για μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών, τουλάχιστον μια πρώτη στηλοειδή πολυστρωματική δομή που παρέχεται σε ένα υπόστρωμα και τα νιτρίδιο-βασισμένα στον στρώματα ημιαγωγών ημιαγωγών σύνθετα που αντιπροσωπεύονται από το γενικό τύπο In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z ν (όπου x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, 0.ltoreq.z.ltoreq.1), περιλαμβάνει ένα πρώτο βήμα της διαμόρφωσης μιας πολλαπλότητας των αυλακιών στο υπόστρωμα και ένα δεύτερο βήμα της διαμόρφωσης μιας πολλαπλότητας των πρώτων στηλοειδών πολυστρωματικών δομών στο υπόστρωμα ώστε να χωριστεί από τα αυλάκια.

 
Web www.patentalert.com

< III-V compound films using chemical deposition

< Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications

> III group nitride system compound semiconductor light emitting element

> Use of inhibitors for the treatment of disorders related to RTK hyperfunction, especially cancer

~ 00104