One principal embodiment of the disclosure pertains to a method of
optically fabricating a photomask using a direct write continuous wave
laser, comprising a series of steps including: applying an organic
antireflection coating over a surface of a photomask which includes a
chrome-containing layer; applying a chemically-amplified DUV photoresist
over the organic antireflection coating; post apply baking the DUV
photoresist over a specific temperature range; exposing a surface of the
DUV photoresist to the direct write continuous wave laser; and, post
exposure baking the imaged DUV photoresist over a specific temperature
range. The direct write continuous wave laser preferably operates at a
wavelength of 244 nm or 257 nm. In an alternative embodiment, the organic
antireflection coating may be applied over an inorganic antireflection
coating which overlies the chrome containing layer.
Μια κύρια ενσωμάτωση της κοινοποίησης αναφέρεται σε μια μέθοδο οπτικά ένα photomask χρησιμοποιώντας έναν άμεσο γράφει το λέιζερ συνεχών κυμάτων, περιλαμβάνοντας μια σειρά βημάτων συμπεριλαμβανομένου: εφαρμόζοντας ένα οργανικό επίστρωμα αντιαντανάκλασης πέρα από μια επιφάνεια ενός photomask που περιλαμβάνει ένα χρώμιο-περιέχοντας στρώμα εφαρμογή χημικά-ενισχυμένου photoresist DUV πέρα από το οργανικό επίστρωμα αντιαντανάκλασης η θέση εφαρμόζει το ψήσιμο photoresist DUV πέρα από μια συγκεκριμένη σειρά θερμοκρασίας εκθέτοντας μια επιφάνεια photoresist DUV στον άμεσο γράψτε το λέιζερ συνεχών κυμάτων και, μετα έκθεση που ψήνει imaged photoresist DUV πέρα από μια συγκεκριμένη σειρά θερμοκρασίας. Ο άμεσος γράφει το λέιζερ ότι συνεχών κυμάτων λειτουργεί κατά προτίμηση σε ένα μήκος κύματος 244 NM ή 257 NM. Σε μια εναλλακτική ενσωμάτωση, το οργανικό επίστρωμα αντιαντανάκλασης μπορεί να εφαρμοστεί πέρα από ένα ανόργανο επίστρωμα αντιαντανάκλασης που επικαλύπτει το χρώμιο που περιέχει το στρώμα.
