The present invention relates to a method of forming a small gap using CMP
and a method for manufacturing a lateral FED. In the present invention, a
small gap is determined by the thickness of an oxide film, and so uniform
small gaps of about 100 .ANG. that have been impossible to attain with the
art of prior lithography can be formed with repeatability. Prior lateral
field emission devices have the problem of repeatability in forming a gap
for field emission because they are fabricated by means of a thermal
stress method or an electrical stress method. But if the method of forming
a small gap according to the present invention is used to fabricate a
lateral FED, a FED can be made that has low voltage drive and high current
drive characteristics and uniform field emission characteristics.
De onderhavige uitvinding heeft op een methode om een klein hiaat te vormen gebruikend CMP en een methode om het zijcEof betrekking te vervaardigen. In de onderhavige uitvinding, wordt een klein hiaat bepaald door de dikte van een oxydefilm, en de zo eenvormige kleine hiaten van ongeveer 100. ANG die onmogelijk om met de kunst van vroegere lithografie zijn geweest te bereiken kunnen met herhaalbaarheid worden gevormd. De vroegere zijapparaten van de gebiedsemissie hebben het probleem van herhaalbaarheid in het vormen van een hiaat voor gebiedsemissie omdat zij door middel van een thermische spanningsmethode of een elektrospanningsmethode worden vervaardigd. Maar als de methode om een klein hiaat volgens de onderhavige uitvinding te vormen wordt gebruikt om het zijcEof te vervaardigen, kan het EOF worden gemaakt dat laag voltageaandrijving en hoog huidige aandrijvingskenmerken en de kenmerken van de eenvormig gebiedsemissie heeft.
