In a non-volatile semiconductor memory device and a method for
manufacturing the device, each memory cell and its select Tr have the same
gate insulating film as a Vcc Tr. Further, the gate electrodes of a Vpp Tr
and Vcc Tr are realized by the use of a first polysilicon layer. A
material such as salicide or a metal, which differs from second
polysilicon (which forms a control gate layer), may be provided on the
first polysilicon layer. With the above features, a non-volatile
semiconductor memory device can be manufactured by reduced steps and be
operated at high speed in a reliable manner.
Em um dispositivo de memória permanente do semicondutor e em um método para manufaturar o dispositivo, cada pilha de memória e seu Tr seleto têm a mesma película isolando da porta que um Vcc Tr. Mais mais, os elétrodos de porta de um Vpp Tr e Vcc Tr são realizados pelo uso de uma primeira camada do polysilicon. Um material tal como o salicide ou um metal, que difira do segundo polysilicon (que dá forma a uma camada da porta do controle), pode ser fornecido na primeira camada do polysilicon. Com as características acima, um dispositivo de memória permanente do semicondutor pode ser manufaturado por etapas reduzidas e ser operado na alta velocidade em uma maneira de confiança.
