A non-volatile semiconductor memory device includes a plurality of page
buffers, each corresponding to a sense node. Voltages of a first set of
sense nodes are varied according to states of corresponding memory cells
during a first sense period, while voltages of a second set of sense nodes
are fixed at a predetermined voltage. During the second sense period,
voltages of the second set of sense nodes are varied according to states
of corresponding memory cells, while voltages of the first set of sense
nodes are fixed at a predetermined voltage. Using this sensing scheme,
even though a sense node corresponding to an OFF cell is floated, a
voltage of the floated sense node is not coupled down when a voltage of a
neighboring sense node corresponding to an ON cell is lowered.
Un dispositivo de memoria permanente de semiconductor incluye una pluralidad de almacenadores intermediarios de la página, cada uno que corresponde a un nodo del sentido. Los voltajes de un primer sistema de nodos del sentido se varían según los estados de las células de memoria correspondientes durante un primer período del sentido, mientras que los voltajes de un segundo sistema de nodos del sentido son fijos en un voltaje predeterminado. Durante el segundo período del sentido, los voltajes del segundo sistema de nodos del sentido se varían según los estados de las células de memoria correspondientes, mientras que los voltajes del primer sistema de nodos del sentido son fijos en un voltaje predeterminado. Usando este esquema de detección, aunque un nodo del sentido que corresponde APAGADO a una célula se flota, un voltaje del nodo flotado del sentido no se junta abajo cuando un voltaje de un nodo vecino del sentido que corresponde ENCENDIDO a una célula se baja.
