A microfabricated device includes a substrate having a device layer and
substantially filled, isolating trenches; a doped region of material
formed by photolithographically defining a region for selective doping of
said device layer, selectively doping said region, and thermally diffusing
said dopant; circuits on said device layer formed using a substantially
standard circuit technology; and at least one structure trench in the
substrate which completes the definition of electrically isolated
micromechanical structural elements.
Το α η συσκευή περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα που έχει ένα στρώμα συσκευών και που γέμισε ουσιαστικά, απομονώνοντας τις τάφρους μια ναρκωμένη περιοχή του υλικού που διαμορφώνεται με photolithographically να καθορίσει μια περιοχή για την εκλεκτική νάρκωση του εν λόγω στρώματος συσκευών, ναρκώνοντας επιλεκτικά την εν λόγω περιοχή, και το θερμικά να διασκορπίσει εν λόγω υλικό πρόσμιξης κυκλώματα στο εν λόγω στρώμα συσκευών που διαμορφώνεται χρησιμοποιώντας μια ουσιαστικά τυποποιημένη τεχνολογία κυκλωμάτων και τουλάχιστον μια τάφρος δομών στο υπόστρωμα που ολοκληρώνει τον καθορισμό των ηλεκτρικά απομονωμένων μικρομηχανικών δομικών στοιχείων.
