Method of forming a magnetic memory device are disclosed. In one
embodiment, a first plurality of conductive lines are formed over a
semiconductor workpiece. A plurality of magnetic material lines are formed
over corresponding ones of the first plurality of conductive lines and a
second plurality of conductive lines are formed over the semiconductor
workpiece. The second plurality of conductive lines cross over the first
conductive lines and the magnetic material lines. These second lines can
be used as a mask to while the magnetic material lines are patterned.
Метод формировать магнитное приспособление памяти показан. В одном воплощении, первая множественность проводных линий сформирована над workpiece полупроводника. Множественность магнитных материальных линий сформирована над соответствуя одной из первой множественности проводных линий и вторая множественность проводных линий сформирована над workpiece полупроводника. Вторая множественность проводных линий пересекает над первыми проводными линиями и магнитными материальными линиями. Эти вторые линии можно использовать как маска пока магнитные материальные линии сделаны по образцу.
