Method of fabricating a trench-structure capacitor device

   
   

The novel trench capacitors have a constant or increased capacitance. Materials for a second electrode region and if appropriate a first electrode region include a metallic material, a metal nitride, or the like, and/or a dielectric region is formed with a material with an increased dielectric constant. An insulation region is formed in the upper wall region of the trench after the first electrode region or the second electrode region has been formed, by selective and local oxidation.

Die Romangrabenkondensatoren haben eine Konstante oder eine erhöhte Kapazitanz. Materialien für eine zweite Elektrode Region und wenn passend eine erste Elektrode, Region schließen ein metallisches Material, ein Metallnitrid oder dergleichen mit ein, und/oder wird eine dielektrische Region mit einem Material mit einer erhöhten Dielektrizitätskonstante gebildet. Eine Isolierung Region wird in der oberen Wandregion des Grabens nach der ersten Elektrode Region gebildet, oder die zweite Elektrode Region ist, durch vorgewählte und lokale Oxidation gebildet worden.

 
Web www.patentalert.com

< Nanolayer thick film processing system and method

< Wavelength-selective photonics device

> Method and structure for low-k dielectric constant applications

> Method for vapor deposition of a metal compound film

~ 00102