A reference cell circuit for a magnetic tunnel junction MRAM includes two
magnetic tunnel junctions where one is always set to a low resistance
state and the other is always set to a high resistance state. The two
magnetic tunnel junctions are connected between two segments of a bit
line. The reference cell also includes a digit line that crosses both of
the bit line segments.
Ένα κύκλωμα κυττάρων αναφοράς για μια μαγνητική σύνδεση MRAM σηράγγων περιλαμβάνει δύο μαγνητικές συνδέσεις σηράγγων όπου κάποια είναι έθεσε πάντα ένα χαμηλό κράτος αντίστασης και άλλη είναι έθεσε πάντα ένα υψηλό κράτος αντίστασης. Οι δύο μαγνητικές συνδέσεις σηράγγων συνδέονται μεταξύ δύο τμημάτων μιας γραμμής κομματιών. Το κύτταρο αναφοράς περιλαμβάνει επίσης μια γραμμή ψηφίων που διασχίζει και τα δύο από τα τμήματα γραμμών κομματιών.
