Bilayer deposition to avoid unwanted interfacial reactions during high K gate dielectric processing

   
   

Methods are disclosed for forming gate dielectrics for MOSFET transistors, wherein a bilayer deposition of a nitride layer and an oxide layer are used to form a gate dielectric stack. The nitride layer is formed on the substrate to prevent oxidation of the substrate material during deposition of the oxide layer, thereby avoiding or mitigating formation of low-k interfacial layer.

Des méthodes sont révélées pour former des diélectriques de porte pour des transistors de transistor MOSFET, où un dépôt de bilayer d'une couche de nitrure et une couche d'oxyde sont employés pour former une pile diélectrique de porte. La couche de nitrure est formée sur le substrat pour empêcher l'oxydation du matériel de substrat pendant le dépôt de la couche d'oxyde, évitant ou atténuant de ce fait la formation d'une basse-k couche dièdre.

 
Web www.patentalert.com

< Method for forming refractory metal oxide layers with tetramethyldisiloxane

< Method of forming a thin film in a semiconductor device

> Method for preparing metal nitride thin films

> Silicon nanocrystal capacitor and process for forming same

~ 00102