A lateral semiconductor element (10) in thin-film SOI technology comprises
an insulator layer (14) which rests on a substrate (12) and is buried
under a thin silicon film (16), on top of which the source, or anode,
contact (18) and the drain, or cathode, contact (22) are mounted. The
anode contact (18) and the cathode contact (22) each lie over separate
shield regions (28,30) within substrate (12), with the anode contact (18)
being electrically connected with substrate (12).
Un élément latéral de semi-conducteur (10) en technologie en couche mince de SOI comporte une couche de isolateur (14) qui se repose sur un substrat (12) et est enterrée sous un film mince de silicium (16), sur lequel la source, ou anode, entrent en contact avec (18) et le drain, ou la cathode, le contact (22) sont montées. Le contact d'anode (18) et les régions séparées de bouclier d'excédent de mensonge du contact de cathode (22) (28.30) dans le substrat (12), avec le contact d'anode (18) étant électriquement relié au substrat (12).
