A power semiconductor component having a mesa edge termination is
described. The component has a semiconductor body with first and second
surfaces. An inner zone of a first conductivity type is disposed in the
semiconductor body. A first zone is disposed in the semiconductor body and
is connected to the inner zone. An edge area outside of the first zone has
areas etched out. A second zone of a second conductivity type is disposed
in the semiconductor body and is connected to the inner zone, and a
boundary area between the second zone and the inner zone defines a pn
junction. A field stop zone is adjacent the first surface in the edge
area. The field stop zone is formed of the first conductivity type and is
embedded in the semiconductor body, and the field stop zone is connected
to the first zone and to the inner zone.
Een component die van de machtshalfgeleider een beëindiging van de mesarand heeft wordt beschreven. De component heeft eerst een halfgeleiderlichaam met en tweede oppervlakten. Een binnenstreek van een eerste geleidingsvermogentype wordt geschikt in het halfgeleiderlichaam. Een eerste streek wordt geschikt in het halfgeleiderlichaam en met de binnenstreek verbonden. Een randgebied buiten de eerste streek heeft uit geëtste gebieden. Een tweede streek van een tweede geleidingsvermogentype wordt geschikt in het halfgeleiderlichaam en met de binnenstreek verbonden, en een grensgebied tussen de tweede streek en de binnenstreek bepaalt een pn verbinding. Een streek van het gebiedseinde is adjacent de eerste oppervlakte in het randgebied. De streek van het gebiedseinde wordt gevormd van het eerste geleidingsvermogentype en in het halfgeleiderlichaam gevormd, en de streek van het gebiedseinde wordt verbonden aan de eerste streek en met de binnenstreek.
