GMR coefficient enhancement for spin valve structures

   
   

A high GMR coefficient for a spin valve sensor is achieved through the use of a crystallographically aligned seed layer matched to the lattice constant of the antiferromagnetic (AFM) layer in one embodiment. A further embodiment includes one or more specular scattering layers positioned within the pinned and free layers. The improvement occurs through a softening of the sensing and pinned layers through even layer texturing, a stronger coupling between the antiferromagnetic and pinned layers, and a reduced resistance to current motion between the free and pinned layers. The improved seed layer of the present invention may be formed with a face-centered cubic (FCC) material having a (111) crystallographic plane parallel to an underlying substrate, with a lattice constant similar to that of the anti ferromagnetic layer. An IrMn antiferromagnetic layer, and Co.sub.50 O.sub.50 and Co.sub.45 Fe.sub.5 O.sub.50 seed layers are preferred materials to achieve this effect. A preferred material for forming the specular scattering layers is Co.sub.45 Fe.sub.5 O.sub.50.

Un coefficient élevé de GMR pour une sonde de valve de rotation est réalisé par l'utilisation d'une couche crystallographically alignée de graine assortie à la constante de trellis de la couche (AFM) antiferromagnetic dans une incorporation. Une autre incorporation inclut une ou plusieurs couches spéculaires de dispersion placées dans goupillé et libère des couches. L'amélioration se produit par se ramollir de la sensation et des couches goupillées par la texturisation uniforme de couche, un accouplement plus fort entre les couches antiferromagnetic et goupillées, et une résistance réduite au mouvement courant entre les couches libres et goupillées. Couche améliorée de graine de la présente invention peut être formée avec un matériel (FCC) cubique face au centre ayant l'avion cristallographique de a (la 111) parallèle à un substrat fondamental, avec un semblable constant de trellis à celui de la couche anti ferromagnétique. Une couche antiferromagnetic d'IrMn, et des couches de graine de Co.sub.50 O.sub.50 et de Co.sub.45 Fe.sub.5 O.sub.50 sont les matériaux préférés pour réaliser cet effet. Un matériel préféré pour former les couches spéculaires de dispersion est Co.sub.45 Fe.sub.5 O.sub.50.

 
Web www.patentalert.com

< Disk drive disk with landing zone having textured and untextured regions

< Magnetoresistive sensor and magnetic storage apparatus

> Spin valve sensor with a spin filter and specular reflector layer

> Gripper assembly apparatus for interfacing with a storage device

~ 00101