A method of providing isolation between active areas of memory cells in a
memory device having a plurality of isolation trenches (115) separating
the active areas, comprising depositing a first insulating material (116)
and forming a resist (120) over the first insulating material (116) over
at least the trenches (115), leaving a first top portion of the first
insulating material (116) exposed. At least a second top portion of the
first insulating material (116) is removed, the resist (120) is removed,
and a second insulating material (216) is deposited over the wafer (100)
to completely fill the isolation trenches (115).
Un metodo di fornire l'isolamento fra le zone attive delle cellule di memoria in un dispositivo di memoria che ha una pluralità di trincee di isolamento (115) che separano le zone attive, contenenti depositando primo isolare materiale (116) e formare lle 120) eccedenze di resistenza (le prima 116) eccedenze isolante del materiale (almeno le trincee (115), lascianti una prima parte della parte superiore del primo materiale isolante (116) ha esposto. Almeno una seconda parte della parte superiore del primo materiale isolante (116) è rimossa, la resistenza (120) è rimossa e un secondo materiale isolante (216) è depositata sopra la cialda (100) completamente per riempire le trincee di isolamento (115).
