A high-resolution field emission display that applies a field emission
device (or a field emission array) being an electron source element to a
flat panel display device. The field emission display includes an upper
plate and a lower plate that face each other, wherein the lower plate and
the upper plate are vacuum-packaged in parallel positions. A dot pixel of
the lower plate includes a high-voltage amorphous silicon thin film
transistor formed on the glass substrate of the lower plate, a diode type
field emission film partially formed on the drain of the high-voltage
amorphous silicon TFT, a passivation insulation layer formed on the
high-voltage amorphous silicon TFT and the lateral side of the diode type
field emission film, and an electron beam focusing electrode/light-shading
film which vertically overlaps with the high-voltage amorphous silicon TFT
on some parts of the passivation insulation layer and is formed on a
lateral side of the diode type field emission film. A dot pixel of the
upper plate includes a transparent electrode formed on the glass substrate
of the upper plate, and a red, green or blue phosphor formed on some parts
of the transparent electrode. Therefore, the high-resolution field
emission display device can obtain an effect of focusing the electron beam
trajectory and a light-shading effect for the TFT at the same time, and
thus remarkably enhance the performance and the resolution of the field
emission display.
Ein hochauflösendes fangen Emissionanzeige auf, die eine auffangenemissionvorrichtung (oder eine auffangenemissionreihe), die ein Elektronquelelement auf ein flache Verkleidung Sichtanzeigegerät sind zutrifft. Die auffangenemissionanzeige schließt eine obere Platte und eine unterere Platte mit ein, die sich gegenüberstellen, worin die unterere Platte und die obere Platte in den parallelen Positionen vakuumverpackt werden. Ein Punktpixel der untereren Platte schließt einen formlosen Dünnfilmhochspannungstransistor des Silikons mit ein, der auf dem Glassubstrat der untereren Platte gebildet wird, fangen eine Diode Art den Emissionfilm auf, der teilweise auf dem Abfluß des formlosen Hochspannungssilikons TFT gebildet wird, fangen eine Passivierungisolierung Schicht, die auf dem formlosen Hochspannungssilikon TFT gebildet werden und die seitliche Seite der Diode Art Emissionfilm auf, und ein Elektronenstrahl, der electrode/light-shading Film fokussiert, der sich vertikal mit dem formlosen Hochspannungssilikon TFT auf einigen Teilen der Passivierungisolierung Schicht deckt und auf einer seitlichen Seite der Diode Art gebildet wird, fangen Emissionfilm auf. Ein Punktpixel der oberen Platte schließt eine transparente Elektrode mit ein, die auf dem Glassubstrat der oberen Platte und ein rotes, grünes gebildet werden oder blaues Phosphor, das auf einigen Teilen der transparenten Elektrode gebildet wird. Folglich fangen die hochauflösenden Emissionsichtanzeigegerät können einen Effekt von die Elektronenstrahlflugbahn gleichzeitig fokussieren und einen Licht-schattierenden Effekt für das TFT erhalten und folglich erhöhen bemerkenswert die Leistung und die Auflösung der auffangenemissionanzeige auf.
