The invention provides an magnetic memory element having improved switching
properties and zero field offset, and a manufacturing method thereof. The
element comprises a first magnetic layer overlying a conductive layer and
a nonmagnetic layer overlying the first magnetic layer. Next, a second
magnetic layer is provided over the nonmagnetic layer, wherein the second
magnetic layer comprises an antiferromagnetic layer overlying a
ferromagnetic free layer to apply a small bias to the ferromagnetic free
layer. Then, the first magnetic, nonmagnetic and second magnetic layers
are patterned to form the memory element.
De uitvinding verschaft een magnetisch geheugenelement schakelende eigenschappen en nul gebiedscompensatie daarvan hebben verbeterd, en een productiemethode die. Het element bestaat uit een eerste magnetische laag bedekkend een geleidende laag en uit een niet-magnetische laag bedekkend de eerste magnetische laag. Daarna, wordt een tweede magnetische laag verstrekt meer dan de niet-magnetische laag, waarin de tweede magnetische laag uit een antiferromagnetic laag bedekkend een ferromagnetische vrije laag bestaat om kleine bias op de ferromagnetische vrije laag toe te passen. Dan, zijn de eerste magnetische, niet-magnetische en tweede magnetische lagen gevormd om het geheugenelement te vormen.
