A mask (118) and method for patterning a semiconductor wafer. The mask
(118) includes apertures (122) and assist lines (124) disposed between
apertures (122). The assist lines (124) reduce the diffraction effects of
the lithographic process, resulting in improved depth of focus and
resolution of patterns on a semiconductor wafer.
Una máscara (118) y método para modelar una oblea de semiconductor. La máscara (118) incluye aberturas (122) y las líneas de la ayuda (124) dispuestas entre las aberturas (122). Las líneas de la ayuda (124) reducen los efectos de la difracción del proceso litográfico, dando por resultado la profundidad mejorada del foco y la resolución de patrones en una oblea de semiconductor.
