Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

   
   

A ferroelectric memory device includes a memory cell array and a peripheral circuit section. The memory cell array, in which memory cells are arranged in a matrix, includes first signal electrodes, second signal electrodes which are arranged in a direction so as to intersect the first signal electrodes, and a ferroelectric layer disposed at least at intersection regions between the first signal electrodes and the second signal electrodes. The peripheral circuit section includes circuits for selectively allowing information to be written into or read from the memory cells, such as a first driver circuit, a second driver circuit, and a signal detection circuit. The memory cell array and the peripheral circuit section are disposed in different layers so as to be layered. This ferroelectric memory device can significantly increase the degree of integration of the memory cells and decrease the chip area.

Ferroelectric приспособление памяти вклюает блок ячейкы памяти и периферийный раздел цепи. Блок ячейкы памяти, в котором ячейкы памяти аранжированы в матрице, вклюает первые электроды сигнала, вторые электроды сигнала которые аранжированы, что в направлении пересекают первые электроды сигнала, и ferroelectric слой размещанный по крайней мере на зонах пересечения между первыми электродами сигнала и вторыми электродами сигнала. Периферийный раздел цепи вклюает цепи для селективно позволять информацию быть написанным в или прочитать от ячейкы памяти, such as первая цепь водителя, вторая цепи водителя, и цепи обнаружения сигнала. Блок ячейкы памяти и периферийный раздел цепи размещаны в по-разному слоях быть наслоенным. Это ferroelectric приспособление памяти может значительно увеличить степень внедрения ячейкы памяти и уменьшить зону обломока.

 
Web www.patentalert.com

< Low-loss tunable ferro-electric device and method of characterization

< Magnetic disk drive with air bearing surface pad on movable portion and method of controlling

> Ferroelectric memory device

> Optical waveguide article including a fluorine-containing zone

~ 00100