An optical device includes a semiconductor layer and a polysilicon coupler.
The semiconductor layer includes at least one etched portion between first
and second unetched portions. A first optical waveguide includes the first
unetched portion and a first total internal reflection (TIR) boundary
between the first unetched portion and the at least one etched portion. A
second optical waveguide includes the second unetched portion and a second
TIR boundary between the at least one unetched portion and the second
etched portion. A polysilicon coupler at least partially overlaps the
etched portion of the semiconductor layer. The polysilicon coupler
optically couples the first optical waveguide and the second optical
waveguide, wherein light can flow from the first optical waveguide via the
polysilicon coupler portion to the second optical waveguide.
Eine optische Vorrichtung schließt eine Halbleiterschicht und einen polysilicon Koppler mit ein. Die Halbleiterschicht schließt mindestens einen geätzten Teil zwischen zuerst ein und unetched an zweiter Stelle Teile. Ein erster optischer Wellenleiter schließt der erste unetched Teil mit ein und eine erstes Gesamtinterne Reflexion (TIR) Grenze zwischen der ersten unetched Teil und das mindestens man ätzte Teil. Ein zweiter optischer Wellenleiter schließt die Sekunde unetched Teil ein und eine zweite TIR Grenze zwischen mindestens unetched Teil und die zweite ätzten Teil. Ein polysilicon Koppler mindestens deckt teilweise sich dem mit geätzten Teil der Halbleiterschicht. Der polysilicon Koppler verbindet optisch den ersten optischen Wellenleiter und den zweiten optischen Wellenleiter, worin Licht vom ersten optischen Wellenleiter über den polysilicon Kopplerteil zum zweiten optischen Wellenleiter fließen kann.
