A chain type ferroelectric random access memory has a memory cell unit
comprising ferroelectric memory cells electrically connected in series to
each other, a plate line connected to an electrode of the memory cell
unit, a bit line connected to the other electrode of the memory cell unit
via a switching transistor, a sense amplifier which amplifies the voltages
of this bit line and its complementary bit line, and a transistor inserted
between the switching transistor and the sense amplifier, and that a
value, being the minimum value of the gate voltage in the transistor
obtained during elevation of the plate line voltage and comparative
amplification, is smaller than a value, being the maximum value of the
gate voltage in the transistor obtained during fall of the plate line
voltage and comparative amplification. With these features, decrease in
the accumulated charge of polarization in the memory cell is reduced and
occurrence of disturb is prevented during read/write operations.
Памяти случайного доступа цепного типа ferroelectric имеет блок ячейкы памяти состоять из ferroelectric ячейкы памяти электрически соединенные в серии to each other, линии плиты соединенной к электроду блока ячейкы памяти, линии бита соединенной к другому электроду блока ячейкы памяти через транзистор переключения, усилителе чувства который усиливает напряжения тока этой линии бита и своей комплементарной линии бита, и транзисторе введенном между транзистором переключения и усилителем чувства, и то значение, было минимальное значение напряжения тока строба в транзисторе полученном во время высоты линии электропередач плиты и сравнительной амплификации, более мало чем значение, был максимальное значение напряжения тока строба в транзисторе полученном во время падения линии электропередач плиты и сравнительной амплификации. С этими характеристиками, уменьшено уменшение в аккумулированной обязанности поляризации в ячейкы памяти и возникновение нарушает предотвращено во время read/write деятельностей.
