A semiconductor device is adapted to inhibit the formation of a parasitic
MOS-inversion channel between an emitter region and a gated base in a
capacitively-coupled thyristor device. According to an example embodiment
of the present invention, a thyristor having first and second base regions
coupled between emitter regions is gated, via one of the base regions, to
a control port. The control port exhibits a workfunction between the
control port and the base region that inhibits the formation of a
conductive channel between the base region and an adjacent emitter region,
such as when the semiconductor device is in a standby and/or a read mode
for memory implementations. The workfunction is selected such that the
parasitic MOS-inversion channel would turn on is sufficiently high to
enable the operation of the device at voltages that are optimized for a
particular implementation while remaining below V.sub.T. With this
approach, the thyristor can be operated without necessarily turning "on"
the parasitic MOS-inversion channel.
Un dispositif de semi-conducteur est adapté pour empêcher la formation d'un canal parasite d'MOS-INVERSION entre une région d'émetteur et une base à déchenchements périodiques dans un dispositif capacitively-couplé de thyristor. Selon un mode de réalisation d'exemple de la présente invention, un thyristor ayant d'abord et les deuxièmes régions de base couplées entre les régions d'émetteur est déclenché, par l'intermédiaire d'une des régions basses, à un port de commande. Le port de commande montre un workfunction entre le port de commande et la région basse telle que lesquels empêche la formation d'un canal conducteur entre la région basse et une région limitrophe d'émetteur, quand le dispositif de semi-conducteur est dans une ressource et/ou un mode indiqué pour des réalisations de mémoire. Le workfunction est choisi tels que le canal parasite d'MOS-INVERSION s'allumerait est suffisamment haut pour permettre le fonctionnement du dispositif aux tensions qui sont optimisées pour une exécution particulière tandis que restantes au-dessous de V.sub.T. Avec cette approche, le thyristor peut être actionné sans tourner nécessairement "on" le canal parasite d'MOS-INVERSION.
