A method of growing epitaxial layers on a wafer is provided and includes
providing a wafer carrier having a surface for retaining the wafer;
placing the wafer on the wafer-retaining surface of the wafer carrier
while the wafer carrier is in a loading position separated from a spindle;
transporting the wafer carrier toward the spindle; detachably mounting the
wafer carrier on the upper end of the spindle for rotation therewith; and
rotating the spindle and the wafer carrier while introducing one or more
reactants into the reaction chamber. The invention also described several
embodiments and variants of the method of the invention.
Un método de crecer capas epitaxial en una oblea se proporciona e incluye el abastecimiento de un portador de la oblea que tiene una superficie para conservar la oblea; colocación de la oblea en la superficie de oblea-retencio'n del portador de la oblea mientras que el portador de la oblea está en una posición del cargamento separada de un huso; transporte del portador de la oblea hacia el huso; detachably montando el portador de la oblea en el extremo superior del huso para la rotación therewith; y rotando el huso y el portador de la oblea mientras que introduce unos o más reactivo en el compartimiento de la reacción. La invención también describió varias encarnaciones y variantes del método de la invención.
