A method and computer aided system for predicting the reliability of oxide-nitride-oxide (ONO) based non-volatile memory. ONO memory devices may be programmed. Margin voltages may be recorded initially, and during baking at 100 degrees C. and 300 degrees C. From this data, constants and activation energy may be determined through a first formula. Frenkel-Poole activation energy may be determined. Through the use of a second formula, decay time of the information stored in the ONO memory may be predicted from the activation energy. The first formula may also be used to predict the decay time. The two decay time predictions may be compared to establish confidence. In this manner, data retention of an ONO memory may be reliably predicted.

Um método e um computador ajudaram ao sistema para predizer a confiabilidade da memória permanente baseada do óxido-nitride-óxido (ONO). Os dispositivos de memória de ONO podem ser programados. As tensões da margem podem ser gravadas inicialmente, e durante cozer em 100 graus de C. e em 300 graus de C. Destes dados, as constantes e a energia de ativação podem ser determinadas com uma primeira fórmula. A energia de ativação de Frenkel-Poole pode ser determinada. Com o uso de uma segunda fórmula, o tempo de deterioração da informação armazenada na memória de ONO pode ser predito da energia de ativação. A primeira fórmula pode também ser usada predizer o tempo de deterioração. As duas predições do tempo de deterioração podem ser comparadas para estabelecer a confiança. Nesta maneira, a retenção dos dados de uma memória de ONO pode confiantemente ser predita.

 
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