An MRAM array includes a plurality of memory cells arranged in rows and columns are programmed, each memory cell in a respective row being coupled to a corresponding word line and each memory cell in respective column being coupled to a corresponding bit line. According to one aspect of the present invention, a method for writing data to selected memory cells includes applying a row current to a selected word line and applying a first column current to a selected bit line. The column current is applied in a first direction. Second column currents are applied to at least the unselected bit lines adjacent the selected bit line. The second column currents are applied in a second direction that is opposite the first direction.

Uma disposição de MRAM inclui um plurality das pilhas de memória arranjadas nas fileiras e as colunas são programadas, cada pilha de memória em uma fileira respectiva que está sendo acoplada a uma linha correspondente da palavra e cada pilha de memória na coluna respectiva que está sendo acoplada a uma linha correspondente do bocado. De acordo com um aspecto da invenção atual, um método para escrever dados às pilhas de memória selecionadas inclui aplicar uma corrente da fileira a uma linha selecionada da palavra e aplicar uma primeira corrente da coluna a uma linha selecionada do bocado. A corrente da coluna é aplicada em um primeiro sentido. As segundas correntes da coluna são aplicadas ao menos às linhas unselected do bocado adjacentes a linha selecionada do bocado. As segundas correntes da coluna são aplicadas em um segundo sentido que seja oposto ao primeiro sentido.